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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

IPD053N08N3 G 

产品描述

MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 80V 90A

内部编号

173-IPD053N08N3-G

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:10
5+¥7.087
10+¥6.726
25+¥6.4315
50+¥6.3555
100+¥6.2035
最小起订量:5
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#2

数量:20
5+¥7.087
10+¥6.726
25+¥6.4315
50+¥6.3555
100+¥6.2035
最小起订量:5
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
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#3

数量:15
5+¥7.087
10+¥6.726
25+¥6.4315
50+¥6.3555
100+¥6.2035
最小起订量:5
英国伦敦
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IPD053N08N3 G产品详细规格

规格书 IPD053N08N3 G datasheet 规格书
IPD053N08N3 G
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 2,500
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 80V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 90A
Rds(最大)@ ID,VGS 5.3 mOhm @ 90A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3.5V @ 90µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 69nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 4750pF @ 40V
功率 - 最大 150W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 PG-TO252-3
包装材料 Tape & Reel (TR)

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